JSMSEMI (Jiesheng Micro)
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SI7884BDP-T1-GE3 SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3
Número de pieza
SI7884BDP-T1-GE3
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Encapsulación
DFN5060-8L
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 4.6W; 46W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@16A, 10V
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Palabras clave deSI7884BDP-T1-GE3
SI7884BDP-T1-GE3 Componentes electrónicos
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