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DMN1017UCP3-7
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Número de pieza
DMN1017UCP3-7
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
X3-DSN1010-3
Disipación de energía (máx.)
1.47W
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 3.3V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1503pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 3.3V
Vgs (máx.)
±8V
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