Comprar GeneSiC Semiconductor MURTA40060 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

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MURTA40060

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Número de pieza

MURTA40060

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

Three Tower

Paquete de dispositivo del proveedor

Three Tower

Tipo de diodo

Standard

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.7V @ 200A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

25µA @ 600V

Configuración de diodo

1 Pair Common Cathode

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

600V

Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)

200A

Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

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