Comprar Infineon Technologies AUIRL7766M2TR MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

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AUIRL7766M2TR

MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Número de pieza

AUIRL7766M2TR

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric M4

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ M4

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 62.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5305pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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