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BSO615CT
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Número de pieza
BSO615CT
Fabricante/Marca
Serie
SIPMOS®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-DSO-8
Tipo FET
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.1A, 2A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 20µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
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