Comprar Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA1 MOSFET N-CH 800V TO-220-3

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IPA80R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Número de pieza

IPA80R650CEXKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO220 Full Pack

Disipación de energía (máx.)

33W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 470µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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