La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPD33CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Número de pieza
IPD33CN10NGBUMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Disipación de energía (máx.)
58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
27A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 29µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 6150 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIPD33CN10NGBUMA1
IPD33CN10NGBUMA1 Componentes electrónicos
IPD33CN10NGBUMA1 Ventas
IPD33CN10NGBUMA1 Proveedor
IPD33CN10NGBUMA1 Distribuidor
IPD33CN10NGBUMA1 Tabla de datos
IPD33CN10NGBUMA1 Fotos
IPD33CN10NGBUMA1 Precio
IPD33CN10NGBUMA1 Oferta
IPD33CN10NGBUMA1 El precio más bajo
IPD33CN10NGBUMA1 Buscar
IPD33CN10NGBUMA1 Adquisitivo
IPD33CN10NGBUMA1 Chip