Comprar Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

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IPD65R650CEATMA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Número de pieza

IPD65R650CEATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Last Time Buy

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO252-3

Disipación de energía (máx.)

86W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 0.21mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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