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IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

MOSFET N-CH TO252-3
Número de pieza
IPD80R2K7C3AATMA1
Fabricante/Marca
Serie
*
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
-
Paquete / Estuche
-
Paquete de dispositivo del proveedor
-
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
-
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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Palabras clave deIPD80R2K7C3AATMA1
IPD80R2K7C3AATMA1 Componentes electrónicos
IPD80R2K7C3AATMA1 Ventas
IPD80R2K7C3AATMA1 Proveedor
IPD80R2K7C3AATMA1 Distribuidor
IPD80R2K7C3AATMA1 Tabla de datos
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