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IPT012N06NATMA1

IPT012N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 240A HSOF-8
Número de pieza
IPT012N06NATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerSFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-HSOF-8-1
Disipación de energía (máx.)
214W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
240A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.3V @ 143µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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