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IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Número de pieza
IPT111N20NFDATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerSFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-HSOF-8
Disipación de energía (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
96A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 267µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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