Comprar Infineon Technologies IPW65R041CFDFKSA1 MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

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IPW65R041CFDFKSA1

MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

Número de pieza

IPW65R041CFDFKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO247-3

Disipación de energía (máx.)

500W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

68.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 33.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 3.3mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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