Comprar Infineon Technologies IRF3711PBF MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

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IRF3711PBF

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

Número de pieza

IRF3711PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

110A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2980pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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