La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Número de pieza
IRF5801TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
600mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 43442 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF Componentes electrónicos
IRF5801TRPBF Ventas
IRF5801TRPBF Proveedor
IRF5801TRPBF Distribuidor
IRF5801TRPBF Tabla de datos
IRF5801TRPBF Fotos
IRF5801TRPBF Precio
IRF5801TRPBF Oferta
IRF5801TRPBF El precio más bajo
IRF5801TRPBF Buscar
IRF5801TRPBF Adquisitivo
IRF5801TRPBF Chip