La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF5802TR
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Número de pieza
IRF5802TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Disipación de energía (máx.)
2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
900mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 36534 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF5802TR
IRF5802TR Componentes electrónicos
IRF5802TR Ventas
IRF5802TR Proveedor
IRF5802TR Distribuidor
IRF5802TR Tabla de datos
IRF5802TR Fotos
IRF5802TR Precio
IRF5802TR Oferta
IRF5802TR El precio más bajo
IRF5802TR Buscar
IRF5802TR Adquisitivo
IRF5802TR Chip