Comprar Infineon Technologies IRF6100 MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET

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IRF6100

MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET

Número de pieza

IRF6100

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

4-FlipFet™

Paquete de dispositivo del proveedor

4-FlipFet™

Disipación de energía (máx.)

2.2W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1230pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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