La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF6608

IRF6608

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Número de pieza
IRF6608
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric ST
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ ST
Disipación de energía (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13A (Ta), 55A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2120pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 42435 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF6608
IRF6608 Componentes electrónicos
IRF6608 Ventas
IRF6608 Proveedor
IRF6608 Distribuidor
IRF6608 Tabla de datos
IRF6608 Fotos
IRF6608 Precio
IRF6608 Oferta
IRF6608 El precio más bajo
IRF6608 Buscar
IRF6608 Adquisitivo
IRF6608 Chip