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IRF6643TRPBF

IRF6643TRPBF

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Número de pieza
IRF6643TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
DirectFET™ Isometric MZ
Paquete de dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Disipación de energía (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.9V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2340pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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