Comprar Infineon Technologies IRF6662TR1PBF MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

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IRF6662TR1PBF

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Número de pieza

IRF6662TR1PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

DirectFET™ Isometric MZ

Paquete de dispositivo del proveedor

DIRECTFET™ MZ

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.3A (Ta), 47A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.9V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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