Comprar Infineon Technologies IRF7233 MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

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IRF7233

MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC

Número de pieza

IRF7233

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

12V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.5A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

600mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

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