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IRF7663

IRF7663

MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Número de pieza
IRF7663
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro8™
Disipación de energía (máx.)
1.8W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2520pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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