La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF7701TR

IRF7701TR

MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Número de pieza
IRF7701TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Disipación de energía (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 8447 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF7701TR
IRF7701TR Componentes electrónicos
IRF7701TR Ventas
IRF7701TR Proveedor
IRF7701TR Distribuidor
IRF7701TR Tabla de datos
IRF7701TR Fotos
IRF7701TR Precio
IRF7701TR Oferta
IRF7701TR El precio más bajo
IRF7701TR Buscar
IRF7701TR Adquisitivo
IRF7701TR Chip