La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF7811AVTR

IRF7811AVTR

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Número de pieza
IRF7811AVTR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
10.8A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1801pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 34668 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRF7811AVTR
IRF7811AVTR Componentes electrónicos
IRF7811AVTR Ventas
IRF7811AVTR Proveedor
IRF7811AVTR Distribuidor
IRF7811AVTR Tabla de datos
IRF7811AVTR Fotos
IRF7811AVTR Precio
IRF7811AVTR Oferta
IRF7811AVTR El precio más bajo
IRF7811AVTR Buscar
IRF7811AVTR Adquisitivo
IRF7811AVTR Chip