La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFB4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
Número de pieza
IRFB4310ZPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
120A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6860pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 20090 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFB4310ZPBF
IRFB4310ZPBF Componentes electrónicos
IRFB4310ZPBF Ventas
IRFB4310ZPBF Proveedor
IRFB4310ZPBF Distribuidor
IRFB4310ZPBF Tabla de datos
IRFB4310ZPBF Fotos
IRFB4310ZPBF Precio
IRFB4310ZPBF Oferta
IRFB4310ZPBF El precio más bajo
IRFB4310ZPBF Buscar
IRFB4310ZPBF Adquisitivo
IRFB4310ZPBF Chip