Comprar Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

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IRFHM3911TRPBF

MOSFET N-CH 100V 10A PQFN

Número de pieza

IRFHM3911TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PQFN (3x3)

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 29W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.2A (Ta), 20A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

115 mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 35µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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