Comprar Infineon Technologies IRFHS8342TRPBF MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

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Hojas de datos

IRFHS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

Número de pieza

IRFHS8342TRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PQFN (2x2)

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.8A (Ta), 19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.35V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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