La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFR5410PBF
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
Número de pieza
IRFR5410PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Not For New Designs
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
D-Pak
Disipación de energía (máx.)
66W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
13A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
205 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 40934 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFR5410PBF
IRFR5410PBF Componentes electrónicos
IRFR5410PBF Ventas
IRFR5410PBF Proveedor
IRFR5410PBF Distribuidor
IRFR5410PBF Tabla de datos
IRFR5410PBF Fotos
IRFR5410PBF Precio
IRFR5410PBF Oferta
IRFR5410PBF El precio más bajo
IRFR5410PBF Buscar
IRFR5410PBF Adquisitivo
IRFR5410PBF Chip