Comprar Infineon Technologies IRFR812PBF MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IRFR812PBF

MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

Número de pieza

IRFR812PBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-Pak

Disipación de energía (máx.)

78W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

3.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 48559 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IRFR010

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK