La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFSL3206PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
Número de pieza
IRFSL3206PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-262
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
120A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6540pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 44723 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFSL3206PBF
IRFSL3206PBF Componentes electrónicos
IRFSL3206PBF Ventas
IRFSL3206PBF Proveedor
IRFSL3206PBF Distribuidor
IRFSL3206PBF Tabla de datos
IRFSL3206PBF Fotos
IRFSL3206PBF Precio
IRFSL3206PBF Oferta
IRFSL3206PBF El precio más bajo
IRFSL3206PBF Buscar
IRFSL3206PBF Adquisitivo
IRFSL3206PBF Chip