La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRFSL4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
Número de pieza
IRFSL4010PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-262
Disipación de energía (máx.)
375W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
180A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
215nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9575pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 39119 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF Componentes electrónicos
IRFSL4010PBF Ventas
IRFSL4010PBF Proveedor
IRFSL4010PBF Distribuidor
IRFSL4010PBF Tabla de datos
IRFSL4010PBF Fotos
IRFSL4010PBF Precio
IRFSL4010PBF Oferta
IRFSL4010PBF El precio más bajo
IRFSL4010PBF Buscar
IRFSL4010PBF Adquisitivo
IRFSL4010PBF Chip