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IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Número de pieza
IRLML2060TRPBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro3™/SOT-23
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.67nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
64pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±16V
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