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IRLML2502TR
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Número de pieza
IRLML2502TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro3™/SOT-23
Disipación de energía (máx.)
1.25W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.7V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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