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IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Número de pieza
IRLML6302TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro3™/SOT-23
Disipación de energía (máx.)
540mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
780mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.45V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
97pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.7V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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