La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRLML6401TR

IRLML6401TR

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Número de pieza
IRLML6401TR
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
Micro3™/SOT-23
Disipación de energía (máx.)
1.3W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
950mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 49950 PCS
Información del contacto
Palabras clave deIRLML6401TR
IRLML6401TR Componentes electrónicos
IRLML6401TR Ventas
IRLML6401TR Proveedor
IRLML6401TR Distribuidor
IRLML6401TR Tabla de datos
IRLML6401TR Fotos
IRLML6401TR Precio
IRLML6401TR Oferta
IRLML6401TR El precio más bajo
IRLML6401TR Buscar
IRLML6401TR Adquisitivo
IRLML6401TR Chip