Comprar Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

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IRLS4030-7PPBF

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

Número de pieza

IRLS4030-7PPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Not For New Designs

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK (7-Lead)

Disipación de energía (máx.)

370W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

190A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 110A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11490pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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