La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH7N100P
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXFH7N100P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, Polar™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Disipación de energía (máx.)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
6V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2590pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 21931 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFH7N100P
IXFH7N100P Componentes electrónicos
IXFH7N100P Ventas
IXFH7N100P Proveedor
IXFH7N100P Distribuidor
IXFH7N100P Tabla de datos
IXFH7N100P Fotos
IXFH7N100P Precio
IXFH7N100P Oferta
IXFH7N100P El precio más bajo
IXFH7N100P Buscar
IXFH7N100P Adquisitivo
IXFH7N100P Chip