La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFH9N80
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
Número de pieza
IXFH9N80
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Disipación de energía (máx.)
180W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29259 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFH9N80
IXFH9N80 Componentes electrónicos
IXFH9N80 Ventas
IXFH9N80 Proveedor
IXFH9N80 Distribuidor
IXFH9N80 Tabla de datos
IXFH9N80 Fotos
IXFH9N80 Precio
IXFH9N80 Oferta
IXFH9N80 El precio más bajo
IXFH9N80 Buscar
IXFH9N80 Adquisitivo
IXFH9N80 Chip