Comprar IXYS IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IXFN360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

Número de pieza

IXFN360N10T

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

HiPerFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227B

Disipación de energía (máx.)

830W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

360A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

505nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

36000pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 48161 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B