La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFP4N100Q
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
Número de pieza
IXFP4N100Q
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 11541 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFP4N100Q
IXFP4N100Q Componentes electrónicos
IXFP4N100Q Ventas
IXFP4N100Q Proveedor
IXFP4N100Q Distribuidor
IXFP4N100Q Tabla de datos
IXFP4N100Q Fotos
IXFP4N100Q Precio
IXFP4N100Q Oferta
IXFP4N100Q El precio más bajo
IXFP4N100Q Buscar
IXFP4N100Q Adquisitivo
IXFP4N100Q Chip