Comprar IXYS IXTA1R6N100D2HV MOSFET N-CH

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IXTA1R6N100D2HV

MOSFET N-CH

Número de pieza

IXTA1R6N100D2HV

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263HV

Disipación de energía (máx.)

100W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Depletion Mode

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.6A (Tj)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 8784 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263