La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTH4N150
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247
Número de pieza
IXTH4N150
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Disipación de energía (máx.)
280W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1500V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1576pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 9608 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTH4N150
IXTH4N150 Componentes electrónicos
IXTH4N150 Ventas
IXTH4N150 Proveedor
IXTH4N150 Distribuidor
IXTH4N150 Tabla de datos
IXTH4N150 Fotos
IXTH4N150 Precio
IXTH4N150 Oferta
IXTH4N150 El precio más bajo
IXTH4N150 Buscar
IXTH4N150 Adquisitivo
IXTH4N150 Chip