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DS1230AB-200IND
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
Número de pieza
DS1230AB-200IND
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Paquete de dispositivo del proveedor
28-EDIP
Suministro de voltaje
4.75 V ~ 5.25 V
Tipo de memoria
Non-Volatile
Tamaño de la memoria
256Kb (32K x 8)
Tiempo de acceso
200ns
Frecuencia de reloj
-
Formato de memoria
NVSRAM
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
200ns
interfaz de memoria
Parallel
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