Comprar Microsemi Corporation APT11F80B MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

APT11F80B

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Número de pieza

APT11F80B

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247 [B]

Disipación de energía (máx.)

337W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2471pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 11915 PCS

Información del contacto