Comprar Microsemi Corporation APT11N80BC3G MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

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APT11N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Número de pieza

APT11N80BC3G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247 [B]

Disipación de energía (máx.)

156W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.9V @ 680µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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