Comprar Microsemi Corporation APT9F100S MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

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APT9F100S

MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Número de pieza

APT9F100S

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Paquete de dispositivo del proveedor

D3Pak

Disipación de energía (máx.)

337W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2606pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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