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JAN1N5809US

JAN1N5809US

DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Número de pieza
JAN1N5809US
Fabricante/Marca
Serie
Military, MIL-PRF-19500/477
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivo del proveedor
B, SQ-MELF
Tipo de diodo
Standard
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
6A
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
875mV @ 4A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 100V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
100V
Velocidad
Fast Recovery = 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-65°C ~ 175°C
Capacitancia @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
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