ON Semiconductor
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2N7002ET1G
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2N7002ET1G

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Número de pieza
2N7002ET1G
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Disipación de energía (máx.)
300mW (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
260mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.81nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
26.7pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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