Comprar ON Semiconductor FDD3860 MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

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FDD3860

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Número de pieza

FDD3860

Fabricante/Marca

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

D-PAK (TO-252AA)

Disipación de energía (máx.)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

6.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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