La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDD4N60NZ
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Número de pieza
FDD4N60NZ
Fabricante/Marca
Serie
UniFET-II™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
DPAK
Disipación de energía (máx.)
114W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29256 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFDD4N60NZ
FDD4N60NZ Componentes electrónicos
FDD4N60NZ Ventas
FDD4N60NZ Proveedor
FDD4N60NZ Distribuidor
FDD4N60NZ Tabla de datos
FDD4N60NZ Fotos
FDD4N60NZ Precio
FDD4N60NZ Oferta
FDD4N60NZ El precio más bajo
FDD4N60NZ Buscar
FDD4N60NZ Adquisitivo
FDD4N60NZ Chip