ON Semiconductor
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FDD86369
Hojas de datos

FDD86369

MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252
Número de pieza
FDD86369
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Serie
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252, (D-Pak)
Disipación de energía (máx.)
150W (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
90A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 40V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
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